Normatívne referencie, ktoré použila spoločnosť Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co pri výrobe zváracích diód, boli nasledovné:
1. GB/T 4023—1997 Diskrétne zariadenia polovodičových zariadení a integrovaných obvodov Časť 2: Usmerňovacie diódy
2. GB/T 4937—1995 Mechanické a klimatické skúšobné metódy pre polovodičové zariadenia
3. JB/T 2423—1999 Výkonové polovodičové zariadenia – metóda modelovania
4. JB/T 4277—1996 Balenie výkonových polovodičových zariadení
5. Skúšobná metóda usmerňovacej diódy JB/T 7624—1994
Model A Veľkosť
1. Názov modelu: Model zváracej diódy sa vzťahuje na predpisy JB/T 2423-1999 a význam každej časti modelu je znázornený na obrázku 1 nižšie:
2. Grafické symboly a identifikácia terminálu (sub).
Grafické symboly a identifikácia terminálu sú znázornené na obrázku 2, šípka ukazuje na katódový terminál.
3. Tvar a montážne rozmery
Tvar zváranej diódy je konvexný a diskového typu a tvar s veľkosťou by mal spĺňať požiadavky na obrázku 3 a tabuľke 1.
| Položka | Rozmer (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Katódová príruba (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katóda a anóda Mesa (D1) | 44 ± 0,2 | 57 ± 0,2 | 68 ± 0,2 |
| Maximálny priemer keramického krúžku (D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Celková hrúbka (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Montážny pozičný otvor | Priemer otvoru: φ3,5 ± 0,2 mm, Hĺbka otvoru: 1,5 ± 0,3 mm | ||
Hodnotenia a charakteristiky
1. Úroveň parametrov
Séria reverzného repetitívneho špičkového napätia (VRRM) je špecifikovaná v tabuľke 2
Tabuľka 2 Úroveň napätia
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| úroveň | 02 | 04 |
2. Limitné hodnoty
Limitné hodnoty musia byť v súlade s tabuľkou 3 a platia pre celý rozsah prevádzkových teplôt.
Tabuľka 3 Limitná hodnota
| Limitná hodnota | Symbol | Jednotka | Hodnota | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Teplota puzdra | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Ekvivalentná teplota spoja (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Skladovacia teplota | Tstg | ℃ | -40-170 | |||
| Opakované špičkové spätné napätie (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Reverzné neopakovateľné špičkové napätie (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Dopredný priemerný prúd (max.) | IF (AV) | A | 7100 | 12 000 | 16 000 | 18 000 |
| Dopredný (neopakujúci sa) nárazový prúd (max.) | IFSM | A | 55 000 | 85 000 | 120 000 | 135 000 |
| I²t (max.) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72 000 | 91 000 |
| Montážna sila | F | kN | 22-24 | 30-35 | 45-50 | 52-57 |
3. Charakteristické hodnoty
Tabuľka 4 Maximálne charakteristické hodnoty
| Charakter a kondícia | Symbol | Jednotka | Hodnota | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Dopredné špičkové napätieIFM= 5000A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Reverzný opakujúci sa špičkový prúdTj= 25 °C, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Tepelný odpor Spoj k puzdru | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Poznámka: pre špeciálne požiadavky, prosím, kontaktujte | ||||||
Thezváracia diódavyrába Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor je široko používaný v odporovej zváračke, stredno- a vysokofrekvenčnom zváracom stroji až do 2000 Hz alebo viac.Zváracia dióda od Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor s ultranízkym predným špičkovým napätím, ultranízkym tepelným odporom, najmodernejšou výrobnou technológiou, vynikajúcou substitučnou schopnosťou a stabilným výkonom pre globálnych používateľov je jedným z najspoľahlivejších zariadení čínskej energie. polovodičové výrobky.
Čas odoslania: 14. júna 2023